имя:
пароль:
регистрация
|
забыли пароль?
Начало
СО РАН
Первичные фотоматериалы
Архив газет "За науку в Сибири"
О проекте
Полезные ссылки
Фотографии
Персоны
Организации
искать по отдельным словам
|
расширенный поиск
Новосибирск
Академик РАН А.В. Ржанов - специалист в области физики полупроводников и диэлектриков, создал первый в СССР германиевый транзистор и заложил основы физики поверхностных явлений в полупроводниках.
Архив:
Фотоархив СО РАН
, Источник:
Архив Музея СО РАН
Отражены
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Новосибирск
Ржанов Анатолий Васильевич
(c) Фотоархив Сибирского отделения Российской академии наук