Персона
Организационная система
Страна
Регион
Город
Геосистема специальная
Архив
Коллекция
Кассета
Документ
Фотодокумент
Видеодокумент
Аудиодокумент
Выступление
Письмо
П
убликуем!
057 173
Новосибирск
PA_folders24-59
Директора СО РАН
папка 057
Отражение
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Новосибирск
Ржанов Анатолий Васильевич
Группа archive-item
Фотоархив СО РАН
Группа description
unexpected variant
Академик РАН А.В. Ржанов - специалист в области физики полупроводников и диэлектриков, создал первый в СССР германиевый транзистор и заложил основы физики поверхностных явлений в полупроводниках.