В Институте физики полупроводников СО АН СССР получены лучшие в Советском Союзе структурно совер-, шенные и высокочистые полупроводниковые слои соединений группы А3В5, которые по своим свойствам намного превзошли массивные монокристаллы, выпускавшиеся промышленностью для нужд микроэлектроники (РНуз, я^. 50*.

Отражены

Событие "В Институте физики полупроводников СО АН СССР пол..."