ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. Дефекты структуры в полупроводниках

Автор: Асеев Александр ЛеонидовичСтенин Сергей Иванович

Отражены

Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова РАН

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Институт физики твердого тела РАН

Новосибирск

Новосибирский государственный университет

Осипьян Юрий Андреевич

Ржанов Анатолий Васильевич

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

(c) Фотоархив Сибирского отделения Российской академии наук